功能描述：MOSFET N-CHANNEL 25V 60A 8VSON

制造商：texas instruments

系列：NexFET??

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：60A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：9.2nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：+10V，-8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1350pF @ 12.5V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.5 毫欧 @ 20A，8V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-VSON（3.3x3.3）

封装/外壳：8-PowerTDFN

标准包装：1

CSD16342Q5A

CSD163CEVM-591

CSD16401Q5

CSD16403Q5A

CSD16404Q5A

CSD16406Q3

CSD16407Q5

CSD16407Q5C

CSD16408Q5

CSD16408Q5C